作者:蓬号人 返回目录 加入书签
第三代半导体材料:以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表。这种材料以高效率蓝绿光发光二极管和蓝光半导体激光器的研制成功为标志的,它具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”。
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